型号: | DI9956T | RoHS: | 否 |
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制造商: | Diodes Inc | 描述: | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
其它图纸 | SO-8 Package Top SO-8 Package Side 1 SO-8 Package Side 2 |
标准包装 | 1 |
系列 | - |
FET 型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | - |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DI9956 DI9956CT |